在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，很容易破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，就不容易产生齐纳击穿。
匿名回答于2021-07-17 05:06:53
