第一问：对于N型半导体，自由电子是多数载流子（多子）——杂质原子提供，空穴是少数载流子（少子）——热激发形成；而P型半导体，空穴是多子——掺杂形成，自由电子是少子——热激发形成。
多子的数量与掺杂浓度有关，高掺杂则多子数量多。P型半导体和N型半导体中间的空间电荷区就是PN结，因为其缺少多子又称耗尽层。高掺杂时耗尽层两端的浓度差大，多子的扩散运动剧烈，空间电荷区理论上加宽，但是空间电荷区产生的内电场导致少子的漂移运动也剧烈，空间电荷区又要变薄，最终要达到动态平衡，所以相比低掺杂时达到动态平衡所需时间更短，载流子运动距离短，电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄了。“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板电容器，内电场E=U/d，所以E很强，直接打断共价键。第二问：齐纳击穿，掺杂浓度高，内电场强，利用这一性质做成了稳压管； 雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。匿名回答于2019-12-30 23:23:15
