虽然MOS的输入电容,输出电容,在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。
静态时，Cgd通常比Cgs小，实际在MOS应用中，当个Gate加上驱动电压后，于Mill效应有关联的Cgd会随着Drain极电压变化而呈现非线性变化，而且其电容值会比Cgs大20倍以上虽然Cgs也会随着Grain-Source电压变化，但是其数值变化不大，通常会增大10%-15%左右。所以很难用输入，输出电容来衡量MOS的驱动特性。
匿名回答于2024-05-28 01:56:38
