漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道
器件类别:分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称:可易亚半导体(KIA Semiconductors)
匿名回答于2024-06-02 11:20:32
匿名回答于2024-05-27 15:21:19