掺杂浓度是激活离子掺杂在基质中的数量。是描述激光介质的一个重要指标。单位经常是原子百分数。
掺杂浓度在10 cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”（degenerated semiconductor）。重掺杂的半导体中，掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一，而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例。在半导体制程中，掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造，以合于使用者的需求。
匿名回答于2021-12-20 18:07:13
